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TFT是什么？
在智能手机飞速发展的今天，边肖相信很多网友都很熟悉TFT这个词，在手机的参数中或多或少都会看到这个词。TFT称为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，是指LCD上的每一个液晶像素都由集成在背后的薄膜晶体管驱动，从而以高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。TFT属于有源矩阵LCD，TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是大多数液晶显示器之一。
在TFT液晶背面设置特殊的光导管，可以“主动”控制屏幕上的每个独立像素，这就是所谓的有源矩阵TFT(activematrixTFT)的由来，可以大大提高反应时间。一般TFT反应时间比较快，80ms左右，而STN是200ms。如果要改进，就会出现闪烁。而且由于TFT是有源矩阵LCD，液晶的排列是可以记忆的，电流消失后不会马上恢复原状。
TFT的显示采用“背透”照明模式3354。假想的光源路径不是像TN液晶那样从上到下，而是从下到上。这样，在液晶的背面设置一个特殊的光导管，光源通过下偏振片照射。由于上下夹层的电极改为FET电极和公共电极，当FET电极开启时，液晶分子的性能也会发生变化，通过遮光透光可以实现显示。响应时间大大增加到大约80毫秒。由于比TN-LCD对比度更高，色彩更丰富，屏幕更新频率也更快，所以TFT俗称“真彩色”。
与DSTN相比，TFT-LCD的主要特点是为每个像素配置一个半导体开关器件。因为每个像素都可以被点脉冲直接控制。所以每个节点相对独立，可以连续控制。这种设计方法不仅提高了显示屏的响应速度，而且可以精确控制显示灰度，这也是TFT色彩比DSTN更真实的原因。
TFT还改善了STN闪烁(水波纹)的模糊现象，有效提升了动态画面的播放能力。与STN相比，TFT具有出色的色彩饱和度、还原能力和更高的对比度，但缺点是功耗更大，成本更高。
TFT的技术特性
TFT技术是在20世纪90年代发展起来的。采用新材料和新工艺的大规模半导体集成电路制造技术是液晶、无机和有机薄膜电致发光(EL和OEL)平板显示器的基础。TFT是通过溅射和化学沉积在玻璃或塑料基板等非单晶片上(当然也可以在晶片上)形成制造电路所必需的各种薄膜，通过加工薄膜制造大规模半导体集成电路(LSIC)。非单晶衬底的使用可以大大降低成本，是传统大规模集成电路向大面积、多功能、低成本方向的延伸。在大面积玻璃或塑料基板上制造TFT来控制像素(LC或有机发光二极管)的开关性能，比在硅片上制造大规模ic更困难。对生产环境(净化等级100)、原料纯度(电子专用气体纯度99.99985%)的要求，对生产设备和生产工艺的要求都超过了半导体大规模集成的要求，是现代大规模生产的顶尖技术。其主要特点是：
大面积
90年代初，第一代大面积玻璃基板(300mm400mm)TFT-LCD生产线投产。到2000年上半年，玻璃基板的面积已经扩大到680毫米880毫米。近期，950mm1200mm玻璃基板也将投产。原则上没有面积限制。
高度集成
用于液晶投影的1.3英寸TFT芯片的分辨率为百万像素的XGA。分辨率SXGA(12801024)的TFT阵列16.1英寸非晶硅膜厚只有50nm，TAB ON GLASS和SYSTEM ON GLASS的工艺、IC集成度、对设备和电源技术的要求、技术难度都比传统LSI高。
强大的
TFT最初被用作矩阵寻址电路，以改善液晶的光阀特性。对于高分辨率显示器，通过在0-6V范围内(其典型值为0.2-4V)调节电压来实现对像素的精确控制，使得LCD实现高质量、高分辨率的显示成为可能。TFT-LCD是人类历史上第一个在显示质量上超过CRT的平板显示器。现在人们开始在玻璃基板上集成驱动IC，整个TFT的功能会更加强大，这是传统大规模半导体集成电路无法比拟的。
低成本
玻璃和塑料基板从根本上解决了大规模半导体集成电路的成本问题，为大规模半导体集成电路的应用开辟了广阔的应用空间。
灵活的过程
除了溅射、CVD(化学气相沉积)MCVD(分子化学气相沉积)等传统工艺外，激光退火技术也开始被应用，可以制作非晶薄膜、多晶薄膜和单晶薄膜。不仅可以制作硅膜，还可以制作其他II-VI和III-V半导体膜。
广泛的应用
基于TFT技术的液晶平板显示器是信息社会的支柱产业，该技术也可以应用到快速发展的TFT-有机发光二极管平板显示器上，后者也在快速增长。
编后语：TFT是什么?TFT是目前中高端彩屏手机中普遍采用的屏幕，分65536 色及26 万色，1600万色三种，其显示效果非常出色，IPS的出现虽然在整体显示性能上比TFT更胜一层，但相对地产量以及技术难度都比TFT更难达到，大家选择哪一种屏幕就看个人需求了。不过小编觉得，TFT作为大多数厂商选用的屏幕在市场上还是有占有较大优势的，如果不是追求极致的网友，考虑TFT屏幕的手机也是很好的选择。
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本文讲解到此结束，希望对大家有所帮助。
